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电子元器件详细资料 » IC[25208] » NTMS4N01R2G
型号:NTMS4N01R2G类别:FET - 单制造商:ON Semiconductor
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC
系列-
制造商ON Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C40 毫欧 @ 4.2A,4.5V
Id时的Vgs(th)111最大2221.2V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs16nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)0a0Vds1200pF @ 10V
功率_最大770mW
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SOIC N
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市百域芯科技有限公司雷小姐075582788062
深圳市莱利尔科技有限公司李先生0755-8322-5385 8277-7362
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市源丰诚电子科技有限公司朱先生0755-23919407
深圳市创芯联盈电子有限公司陈泽强0755-88291559
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